NIMSら、高品質GaN結晶の新たな育成法を開発

物質・材料研究機構（NIMS）と東京工業大学は、窒化ガリウム（GaN）単結晶基板を作製する工程で、転位欠陥が極めて少ない高品質結晶を得るため関連キーワードはありません