KURAGE online | 物質 の情報 > 2次元材料MoS₂と層状Sb₂Te₃での低コンタクト抵抗の実現― | 東京都立大学 投稿日:2023年2月11日 スパッタリング法で、原子レベルで制御されたSb2Te3層状物質を形成; MoS2との異種層状物質界面(ファンデルワールス界面)形成で低コンタクト抵抗を実現関連キーワードはありません 続きを確認する