2nm以降の高性能ロジック半導体向けトランジスタ材料、産総研などが開発 (1) - マイナビニュース

これらの特徴は、同物質がMoS2との間にファンデルワールス界面を形成し、フェルミ準位のピンニング現象を抑制する可能性があることを示唆するものだという。この関連キーワードはありません