スピンホール効果を高温で増大させる新原理を発見

非磁性体TaSi2においてフェルミレベル近傍にベリー位相のモノポールを配置。 次世代磁気抵抗メモリの物質設計の加速に期待。 概要. 東京工業大学 工学院 電気関連キーワードはありません