ルチル型酸化物半導体でデバイス動作を確認：薄膜内の貫通転位密度を大幅低減

立命館大学と京都大学、物質・材料研究機構の研究チームは、xを0.53付近に調整したルチル型（r-）GexSn1-xO2薄膜を、r-TiO2基板上に格子整合（格子整合関連キーワードはありません