NIMS、n型ダイヤモンドMOSFETを開発 「世界初」：ダイヤモンドCMOS集積回路実現へ

物質・材料研究機構（NIMS）は、「n型ダイヤモンドMOSFET」を開発したと発表した。「世界初」（NIMS）とする。電界効果移動度は、300℃で約150cm2/V・secを関連キーワードはありません