磁気メモリー応用で応答速度100倍以上に…東大、室温で書き換えられる交替磁性体を発見

鉄のスピンは互い違いに並ぶため、物質全体では打ち消しあって磁化はゼロになる。漏れ磁場が発生しないため、メモリーなどに応用すると素子を密集させて高関連キーワードはありません