応答速度・集積密度はMRAMの100倍、次世代メモリー有望候補「交替磁性体」実用化への現在地

磁気抵抗メモリー（MRAM）に比べて応答速度や集積密度が100倍になると期待される。交替磁性体は日本で理論が提唱され、実際に室温で機能する物質が見つかった。関連キーワードはありません