反強磁性体で高い記憶性能 東北大など、スピン半導体進展 - 日刊工業新聞

東北大学と物質・材料研究機構、日本原子力研究開発機構の共同チームは、反強磁性体を使い、強磁性体で構成... （残り：410文字／本文：460文字）. ※この記事関連キーワードはありません