フラッシュメモリ(CTF)の核心作動原理であり半導体物理で数十年間解けなかった難題である「電荷 ...

国際共同研究チームは電荷トラップが特定の種類の原子欠陥から生じるのではなく、非晶質物質内部で起きる相互作用的·創発的(emergent)現象であることを明らかに関連キーワードはありません