次世代半導体MoS2の革新的ウエハースケール成膜技術を開発 - NIMS

結晶成長の自己整合および自己停止メカニズムにより高移動度を達成 —. 2026.01.21. 国立大学法人東京大学. NIMS（国立研究開発法人物質・材料研究機構）関連キーワードはありません