NIMS、Si基板上の縦型GaNに新機軸 中間層形成で低抵抗 - 日経テックフォーサイト

物質・材料研究機構（NIMS）の研究チームは、安価なシリコン（Si）基板上に窒化ガリウム（GaN）薄膜をエピタキシャル成長させる成膜技術を開発した。関連キーワードはありません