空孔の規則度制御でフェリ磁性体の補償温度をコントロ... | プレスリリース・研究成果 | 東北大学

さらに第一原理計算により、本物質が高いスピン分極率を持つハーフメタル型電子状態を有していることが示唆され、漏れ磁場のない超高密度・高速デバイスの基盤関連キーワードはありません