i-nest capitalがトポロジカル物質を活用した次世代メモリ「TL-RAM」等を開発する「TopoLogic ...

トポロジカル反強磁性体物質が持つ高速スピン反転特性を応用し、次世代のメモリ微細化・低消費電力化を実現します。 超高速熱センシング技術「TL-SENSING」関連キーワードはありません