水素処理により半導体用多結晶ゲルマニウム薄膜の性能を飛躍的に向上 - TSUKUBA JOURNAL

本研究成果は、Ge系電子デバイスの性能向上と実用化への展開が強く期待されます。 PDF資料. プレスリリース. 研究代表者. 筑波大学 数理物質系 都甲 薫 教授関連キーワードはありません