MTJ素子の障壁材料に二次元物質を利用、1000％のTMR比を確認：界面垂直磁気異方性の誘起 ...

東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センターは2021年8月、強磁性トンネル接合（MTJ）素子の障壁材料に、二次元物質の六方晶窒化ホウ素（h-BN）を用いると、界面関連キーワードはありません