高い正孔移動度などを実現したダイヤモンドFET、NIMSなどが作製に成功 - マイナビニュース

物質・材料研究機構(NIMS)は1月18日、「ダイヤモンド電界効果トランジスタ(FET)」を新しい設計指針に基づいて作製し、高い正孔移動度とノーマリオフ動作を関連キーワードはありません