ロジック半導体の性能向上の鍵となるトランジスタ材料を開発 - 水戸経済新聞

スパッタリング法で、原子レベルで制御されたSb2Te3層状物質を形成・MoS2との異種層状物質界面(ファンデルワールス界面)形成で低コンタクト抵抗を実現・耐熱関連キーワードはありません