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スピンホール効果を高温で増大させる新原理を発見

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非磁性体TaSi2においてフェルミレベル近傍にベリー位相のモノポールを配置。 次世代磁気抵抗メモリの物質設計の加速に期待。 概要. 東京工業大学 工学院 電気関連キーワードはありません

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