振動現象の理論的な再現に成功 不揮発性磁気メモリの性能向上に貢献 - MONOist

物質・材料研究機構は、トンネル磁気抵抗で電気抵抗の変化率が振動する現象を、理論的に解明した。磁性層と絶縁層の界面における波動関数の重ね合わせを関連キーワードはありません