安価なシリコン上に縦型GaNデバイス作製へ、NIMS：AL-ILと呼ぶバッファ層を形成

物質・材料研究機構（NIMS）は、シリコン（Si）ウエハー上に窒化ガリウム（GaN）成膜を行うため、「アモルファスライク中間層（AL-IL）」と呼ぶバッファ層を形成する関連キーワードはありません