【研究成果】水素終端ゲルマニウム層状半導体（ゲルマナン）において記録的な正孔移動度を達成 ...

外部からの不純物原子の導入によらず、2D物質（GeH）と3D物質（Ge）を積層することで、高品質な2次元正孔ガスが自発的に形成。 変調ドープ構造のような精密関連キーワードはありません