1nm世代以降の集積回路における配線抵抗を低減、慶応大ら - EE Times Japan - ITmedia

慶應義塾大学と物質・材料研究機構（NIMS）は、1nmノード以降の次世代半導体に向けた配線材料に関連する4件の研究成果を発表した。研究成果を活用することで、関連キーワードはありません